Chip NAND flash a 20nm da Samsung

Samsung Electronics annuncia di aver avviato la produzione dei primi chip NAND flash con processo a 20 nanometri che saranno utilizzati per la realizzazione di schede di memoria Secure Digital e per soluzioni di memoria embedded.
Le memorie a 20nm non solo rappresentano un importante passo avanti dal punto di vista delle tecnologie di processo, ma incorporano anche tecnologie avanzate che consentono sostanziali passi avanti sul versante delle prestazioni.
Il processo a 20nm sviluppato per la produzione di memorie MLC NAND consente volumi di produzione maggiori del 50% rispetto a quanto possibile con il precedente processo a 30nm. Le prestazioni in scrittura di una scheda SD da 8GB realizzata con chip prodotti a 20nm sono del 30% più veloci rispetto ad una scheda comparabile prodotta a 30nm. L'affidabilità dei nuovi chip di memoria a 20nm è comparabile a quello delle soluzioni prodotte a 30nm, grazie anche a soluzioni controller sviluppate da Samsung stessa.
La produzione dei primi chip flash NAND da 32 gigabit a 30nm è partita nel corso del mese di marzo 2009. I chip da 20nm sono ora entrati nella fase di produzione sample, con le consegne ai primi clienti interessati. La produzione in volumi commerciali prenderà il vià più avanti nel corso dell'anno. Le schede di memoria basate su chip prodotti a 20nm saranno disponibili in densità da 4GB a 64GB.





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Scritto da marcosniper | il 2010-04-19 19:54:48 |