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Roma, 31 gen., (Ign) – Nuovo traguardo di IBM in tema di transistor. L'azienda ha sviluppato un nuovo 'gate' ovvero quel minuscolo interruttore on/off che serve da componente base praticamente di tutti i microchip costruiti attualmente. In collaborazione con i partner di sviluppo della IBM Alliance, Sony, Toshiba e AMD, l’azienda ha trovato il modo di realizzare una parte cruciale del transistor in un materiale nuovo, creando le premesse per circuiti di dimensioni, velocità ed efficienza energetica ritenute finora impensabili.

Altrettanto importante è il fatto che la tecnologia può essere incorporata nelle linee di produzione dei chip esistenti, con modifiche minime alle attrezzature e ai processi, rendendola così realizzabile anche dal punto di vista economico. Si prevede che questo risultato avrà un impatto diffuso e porterà a miglioramenti nei sistemi elettronici di tutti i tipi, dai computer all’elettronica di consumo. IBM ha inserito la tecnologia nella sua linea d’avanguardia per la produzione dei semiconduttori a East Fishkill, NY, e la applicherà ai prodotti a partire dal 2008. La tecnologia, denominata 'high-k metal gate', sostituisce un nuovo materiale in una posizione critica del transistor, che controlla la sua funzione di commutazione on/off principale.

Il materiale offre proprietà elettriche di livello superiore rispetto al predecessore, potenziando la funzione del transistor e consentendo inoltre di ridurne le dimensioni oltre i limiti raggiunti attualmente. Di conseguenza, l’uso di questo materiale potrebbe consentire al settore di proseguire sulla strada definita dalla “Legge di Moore”, punto fermo dell’industria dei chip che prevede un raddoppiamento del numero di transistor in un chip ogni 12-18 mesi, consentendo così anche l’aumento delle prestazioni e della funzione del chip. Il settore dei semiconduttori è riuscito a mantenere questa velocità di miglioramento per decenni, ma stava raggiungendo i limiti della tecnologia attuale, minacciando un rallentamento dei progressi futuri.